Laser-µ-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen
Moser, Rüdiger
Nachfragen
The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Wespel, Matthias
Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom
Schmidt, Johannes
Graphene - from Synthesis to the Application as a Virtually Massless Electrode Material for Bulk Acoustic Wave Resonators
Knapp, Marius David
Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
Butschek, Lorenz
Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich
Wörl, Andreas
AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich
Watschke, Lars
Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Gerrer, Thomas
Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente
Manz, Christian
Broadband Transceiver Circuits for Millimeter-Wave Wireless Communication
Lopez-Diaz, Daniel
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Schwarz, Stefan Udo
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors
Cäsar, Markus
Luminescence Properties of SiV-centers in diamond diodes
Tegetmeyer, Björn
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Ohlrogge, Matthias
A Compact In-Situ Cryogenic Noise Measurement System for Characterization of Low Noise Amplifiers
Bruch, Daniel
Towards the solid protein surface
Hoffmann, Rene
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Lang, Nicola
Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells: Stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion
Solowan, Hans-Michael
InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot
Kleinow, Philipp
Characterization and Optimization of Nanoscale Magnetometric Diamond Sensors
Widmann, Claudia
Halbleiter-Scheibenlaser hoher Brillanz für den Wellenlängenbereich von 2,0-2,8 µm
Rösener, Benno
InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom
Masur, Jan-Michael
Extended Monolithic Integration Levels for Highly Functional GaN Power ICs
Basler, Michael
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Millimeter-Wave Tomographic Imaging of Composite Materials
Meier, Dominik